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BSS126 H6906詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 歐姆 @ 16mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 8µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.1nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：28pF @ 25V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS126 H6906詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 歐姆 @ 16mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 8µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.1nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：28pF @ 25V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS126 H6906詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：耗盡模式; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21mA; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 歐姆 @ 16mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 8µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.1nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：28pF @ 25V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：Digi-Reel®

BSS123LT1
FET - 單 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
C0805C106Z9VACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 10UF 6.3V Y5V 0805
BQ24150YFFT
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 20-UFBGA，DSBGA IC LI-ION CHARGE MGMT 20-DSBGA
C2012X7R1A155K
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1.5UF 10V 10% X7R 0805
C0603C823K3RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.082UF 25V 10% X7R 0603
C0603C392K1RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 3900PF 100V 10% X7R 0603
BQ24151AEVM
評(píng)估演示板和套件 Texas Instruments 0603（1608 公制） EVAL MODULE FOR BQ24151A
BK1005HW241-T
鐵氧體磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0402（1005 公制） FERRITE BEAD 240 OHM 0402
C0805C109C1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1PF 100V NP0 0805
C2012X7R1A155M
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1.5UF 10V 20% X7R 0805
C0603C823K3RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.082UF 25V 10% X7R 0603
C0603C392K2RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 3900PF 200V 10% X7R 0603
BQ24151AYFFR
PMIC - 電池管理 Texas Instruments 20-UFBGA，DSBGA IC LI-ION CHARGE MGMT 20DSBGA
BK1005HW431-T
鐵氧體磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0402（1005 公制） FERRITE BEAD 430 OHM 0402
C0805C109C5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1PF 50V NP0 0805

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